《适用于激光雷达的GaN增强型场效应管：EPC2040》

——逆向分析报告

适用于激光雷达（LiDAR）系统的15V增强型GaN FET

Efficient Power Conversion（宜普电源转换公司）的EPC 2040是一款15V的具备快速开关性能的增强型场效应管（eFET），面向高频脉冲应用，具有10倍于传统MOSFETs的开关速度，可实现优越的分辨率、快速的响应时间以及更高准确度，是激光雷达（Light Distancing and Ranging，LiDAR）技术所采用的脉冲式激光驱动器的理想器件。激光雷达是无人驾驶汽车的导航系统及3D增强现实（AR）系统的重要技术。

EPC2040是EPC公司设计，Episil（汉磊）制造的硅基GaN HEMT（高迁移率晶体管）器件，裸芯片具有焊球和钝化保护。由于采用晶圆级封装技术，芯片只有0.85mm x 1.20mm大小，因此成本很低。并且其封装具有低寄生电感，特别适合高频应用领域。

EPC2040封装尺寸

EPC2040采用EPC公司最先进的技术制造，新的栅结构减小了栅极漏电流，提高了电极接触。器件具有优异的动静态性能，另外为了降低成本，其采用了非常薄的外延层结构。

EPC2040芯片SEM图

EPC2040性能参数

本报告对EPC2040的封装和器件进行了深层次的技术分析，呈现了其复杂的外延层以及晶体管结构，并分析了其成本构成，最后还将其与EPC第一批GaN HEMT进行了对比分析。

报告目录：

Overview / Introduction

Companies Profile
• EPC Profile
• Episil Profile

EPC2040 Characteristics

EPC2040 Physical Analysis
• Package
- Package Views & Dimensions
- Package Cross-Section
- Pad Cross-Section
• GaN transistor
- Die View, Dimensions & Marking
- Edge of the Die
- Metal Layers
- Gate Cross-Section
- Source Cross-Section
- Drain Cross-Section
- Substrate and Epitaxy Layers
• GaN Transistor Characteristics

Manufacturing Process Flow
• Global Overview
• GaN Transistor Front end Unit
• Transistor Process Flow
• Packaging Process Flow

Cost Analysis
• Synthesis of the cost analysis
• Main steps of economic analysis
• Yields Hypotheses
• Epitaxy Cost
• Front-End Cost
• Wafer Cost
• Wafer Cost per process steps
• Probe and Dicing Cost
• Packaging Cost
• Final Test Cost
• EPC2040 Component Cost

Price Estimation

Comparison of 3 EPC Transistors

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